โบฟา คาดการณ์บูมชิปหน่วยความจำอาจยาวเกินปี 2028 โดยไม่มีภาวะถดถอย

การประชุมล่าสุดสนับสนุนมุมมองที่ว่าหน่วยความจำ โดยเฉพาะ HBM ยังคงเป็นหนึ่งในตัวขับเคลื่อนกำไรที่แข็งแกร่งที่สุดในห่วงโซ่อุปทาน AI ซึ่งเป็นประโยชน์ต่อผู้ผลิตหน่วยความจำและซัพพลายเออร์อุปกรณ์ชิป หลังจากการเทขายหุ้นเทคโนโลยีเมื่อเร็วๆ นี้ นักลงทุนเผชิญกับความเสี่ยงสำคัญในช่องว่างระหว่างสมมติฐานราคาของ TrendForce และโบฟา: หากสถานการณ์ของโบฟาที่จะมีการปรับฐานเร็วกว่านี้เกิดขึ้นจริง การคาดการณ์กำไรปี 2027 ทั่วทั้งภาคส่วนอาจต้องถูกปรับลดลง ข้อตกลงการจัดหาระยะยาวที่ลดความผันผวนหลังจากปี 2028 จะท้าทายรูปแบบวัฏจักรขาขึ้น-ขาลงตามปกติของอุตสาหกรรม และอาจสนับสนุนตัวคูณมูลค่าที่สูงขึ้น มุมมองดังกล่าวยังสอดคล้องกับบันทึกล่าสุดจาก UBS และซอฟต์แบงก์ ซึ่งเน้นย้ำถึงพลังงานศูนย์ข้อมูลและนโยบายว่าเป็นข้อจำกัดในการขยายโครงสร้างพื้นฐาน AI

--

TrendForce และโบฟา ต่างมองว่าภาวะบูมของหน่วยความจำจะดำเนินต่อไป แต่มุมมองด้านราคาของทั้งสองแตกต่างกันอย่างมาก และช่องว่างนั้นคือที่ซึ่งความเสี่ยงอยู่

สรุป:

• โบฟาเชื่อว่าวัฏจักรขาขึ้นของหน่วยความจำอาจคงอยู่ได้จนถึงปี 2027 และหลีกเลี่ยงภาวะถดถอยในปี 2028 โดยอ้างถึง Avril Wu จาก TrendForce
• Wu คาดการณ์ราคา DRAM และ HBM ในไตรมาสที่ 4 จะเพิ่มขึ้น 10% ถึง 20% เมื่อเทียบไตรมาสต่อไตรมาส และ NAND จะเพิ่มขึ้น 8% ถึง 13%
• เธอคาดว่าราคา HBM จะเพิ่มขึ้นมากกว่าสองเท่าในปี 2027 โดยมีข้อตกลงการจัดหาระยะยาวที่ช่วยลดความผันผวนหลังจากปี 2028
• โบฟาระมัดระวังมากขึ้น: DRAM ในไตรมาสที่ 4 เพิ่มขึ้น 8%, NAND เพิ่มขึ้น 3%, การเพิ่มขึ้นของ HBM ในปี 2027 ต่ำกว่า 50% และอาจมีการปรับฐานเริ่มต้นเร็วขึ้นในปีนั้น
• โบฟาคาดการณ์รายได้อุตสาหกรรมหน่วยความจำที่ 970 พันล้านดอลลาร์ในปี 2026, 1.47 ล้านล้านดอลลาร์ในปี 2027 และ 1.58 ล้านล้านดอลลาร์ในปี 2028

วัฏจักรขาขึ้นปัจจุบันในอุตสาหกรรมชิปหน่วยความจำอาจขยายไปจนถึงปี 2027 และหลีกเลี่ยงภาวะถดถอยในปี 2028 ตามที่ธนาคารแห่งอเมริกา (BofA) กล่าว โดยอ้างถึงคำกล่าวของ Avril Wu จาก TrendForce ระหว่างการถ่ายทอดสดทางเว็บที่ BofA จัดขึ้นเมื่อวันที่ 10 พฤศจิกายน

Wu ระบุว่าราคาหน่วยความจำมีแนวโน้มจะเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง เธอคาดว่าราคา DRAM และหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) จะเพิ่มขึ้น 10% ถึง 20% ในไตรมาสที่สี่ของปี 2026 เทียบกับไตรมาสก่อนหน้า ในขณะที่ราคา NAND flash จะเพิ่มขึ้น 8% ถึง 13% ในอนาคต เธอคาดการณ์ว่าราคา HBM จะเพิ่มขึ้นมากกว่าสองเท่าในปี 2027 เธอยังตั้งข้อสังเกตว่าข้อตกลงการจัดหาระยะยาวระหว่างผู้ผลิตชิปและลูกค้าอาจช่วยชะลอความผันผวนของราคาหลังปี 2028

โบฟาส่วนใหญ่เห็นด้วยกับมุมมองเชิงบวก แต่ใช้จุดยืนที่ระมัดระวังมากขึ้นในด้านราคา ธนาคารคาดการณ์ว่าราคา DRAM ในไตรมาสที่สี่จะเพิ่มขึ้น 8% เมื่อเทียบไตรมาสต่อไตรมาส และราคา NAND จะเพิ่มขึ้น 3% ซึ่งทั้งสองอย่างต่ำกว่าการคาดการณ์ของ TrendForce อย่างมีนัยสำคัญ นอกจากนี้ยังคาดว่าการเพิ่มขึ้นของราคา HBM ในปี 2027 จะยังคงต่ำกว่า 50% ซึ่งต่ำกว่าการเพิ่มขึ้นสองเท่าที่ Wu คาดการณ์ไว้มาก และเตือนว่าการปรับฐานราคาอาจเริ่มต้นเร็วขึ้นในปี 2027

แม้ภายใต้สมมติฐานที่อนุรักษ์นิยมมากขึ้นเหล่านี้ ตัวเลขของโบฟาก็ยังชี้ให้เห็นถึงการวิ่งที่โดดเด่น ธนาคารคาดการณ์รายได้อุตสาหกรรมหน่วยความจำทั่วโลกที่ 970 พันล้านดอลลาร์ในปี 2026 เพิ่มขึ้นเป็น 1.47 ล้านล้านดอลลาร์ในปี 2027 และ 1.58 ล้านล้านดอลลาร์ในปี 2028 เส้นทางดังกล่าวชี้ให้เห็นว่าอุตสาหกรรมสามารถรักษารายได้และกำไรเป็นประวัติการณ์ไว้ได้จนถึงปี 2028 แทนที่จะตกอยู่ในภาวะตกต่ำแบบที่เกิดขึ้นตามวัฏจักรบูมของหน่วยความจำในอดีต

การถกเถียงนี้มีความสำคัญเนื่องจากหน่วยความจำได้กลายเป็นหนึ่งในจุดเชื่อมโยงที่สำคัญที่สุดในห่วงโซ่อุปทาน AI HBM วางซ้อนอยู่ข้างโปรเซสเซอร์ AI เพื่อป้อนข้อมูลด้วยความเร็วสูง ทำให้เป็นศูนย์กลางในการก่อสร้างศูนย์ข้อมูล AI และอำนาจการกำหนดราคาของมันเป็นตัวขับเคลื่อนกำไรสำคัญทั่วทั้งภาคส่วน ความแตกต่างระหว่างสมมติฐานของ TrendForce และโบฟาเน้นให้เห็นว่ายังมีความไม่แน่นอนมากน้อยเพียงใดเกี่ยวกับระยะเวลาที่อำนาจการกำหนดราคานั้นจะคงอยู่

TrendForce ซึ่งเป็นบริษัทข่าวกรองตลาดที่ตั้งอยู่ในไทเป ติดตามห่วงโซ่อุปทานเทคโนโลยีทั่วโลกโดยเน้นเป็นพิเศษที่เซมิคอนดักเตอร์ หน่วยความจำ และจอแสดงผล หน่วย DRAMeXchange ของบริษัทเป็นหนึ่งในแหล่งที่ได้รับการอ้างอิงอย่างกว้างขวางที่สุดสำหรับราคาสัญญาและราคาสปอตของ DRAM และ NAND